[发明专利]阻变存储器的存储状态的调控方法

权利要求书

1.一种阻变存储器的存储状态的调控方法，其特征在于，所述阻变存储器包括两个电极层与所述两个电极层之间的绝缘层(2)，两个所述电极层分别是第一电极层(1)与第二电极层(3)，其中，至少一个所述电极层为铁磁电极层，所述存储状态的调控方法包括：

步骤S1，向两个所述电极层之间施加第一电压，使得至少一个所述铁磁电极层的电势高于另一个所述电极层的电势；以及

步骤S2，向两个所述电极层之间施加第二电压，使得一个所述铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。

2.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述第一电极层(1)为所述铁磁电极层，所述第二电极层(3)为非铁磁电极层，在所述步骤S1中，向所述第一电极层(1)施加正向扫描电压，将所述第二电极层(3)接地。

3.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述第一电极层(1)与所述第二电极层(3)均为所述铁磁电极层，在所述步骤S1中，向其中一个所述电极层施加正向扫描电压，将另一个所述电极层接地。

4.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述第一电极层(1)为所述铁磁电极层，所述第二电极层(3)为非铁磁电极层，在所述步骤S2中，向所述第一电极层(1)施加正向扫描电压，将所述第二电极层(3)接地。

5.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述第一电极层(1)与所述第二电极层(3)均为所述铁磁电极层，在所述步骤S2中，向其中一个所述电极层施加正向扫描电压，将另一个所述电极层接地。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的调控方法，其特征在于，所述铁磁电极层的材料选自Fe、Co与Ni中的一种或多种。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的调控方法，其特征在于，所述绝缘层的材料选自TiO₂、TaO_X、HfO₂、NiO与ZrO₂中的一种或多种。