[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201710262432.3 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN107039442B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 舟根圣忠 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;G11C5/06;G11C5/14;G11C11/417 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种无需降低半导体器件的布线性便可强化电源类布线的方法。在同一布线层上平行地形成3条布线,其中的中央布线比外侧布线短时,则可利用中央布线的延长线上留出的空区域来形成与外侧布线一体形成的突出部。在将外侧布线用作电源类布线时,通过追加突出部便可强化电源类布线。此时,由于突出部是配置在空区域上的,所以不会降低布线性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具有:第1布线,其形成于第1布线层,第2布线,其形成于所述第1布线层,第3布线,其形成于所述第1布线层并位于所述第1布线与所述第2布线之间,且与所述第1布线及所述第2布线平行,第1突出部,其形成于所述第1布线层并位于所述第1布线与所述第2布线之间,且与所述第1布线一体形成,第4布线,其形成于第2布线层,且与所述第1布线、所述第2布线及所述第1突出部交叉,第1过孔,其连接所述第1布线与所述第4布线,以及第2过孔,其连接所述第1突出部与所述第4布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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