[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710262432.3 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107039442B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 舟根圣忠 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C5/06;G11C5/14;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：
第1布线，其形成于第1布线层，
第2布线，其形成于所述第1布线层，
第3布线，其形成于所述第1布线层并位于所述第1布线与所述第2布线之间，且与所述第1布线及所述第2布线平行，
第1突出部，其形成于所述第1布线层并位于所述第1布线与所述第2布线之间，且与所述第1布线一体形成，
第4布线，其形成于第2布线层，且与所述第1布线、所述第2布线及所述第1突出部交叉，
第1过孔，其连接所述第1布线与所述第4布线，以及
第2过孔，其连接所述第1突出部与所述第4布线，
其中，所述第1布线和所述第2布线分别具有在其间没有所述第3布线的部分，所述第1突出部从所述第1布线的该部分突出。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中，所述第1布线和所述第2布线是供电电压线，
其中，所述第1布线的电压高于所述第2布线的电压。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中，所述第1布线至所述第4布线、所述第1突出部、所述第1过孔以及所述第2过孔内置在静态随机存取存储器中。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
其中，所述第3布线与所述静态随机存取存储器的存储单元连接。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中，在第1方向上，所述第3布线比所述第1布线和所述第2布线短。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
其中，所述第1过孔和所述第2过孔形成在与所述第1方向垂直的第2方向上。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有：
第2突出部，其形成于所述第1布线层，并位于所述第1布线与所述第2布线之间，且与所述第2布线一体形成，
第3过孔，其连接所述第2布线与所述第4布线，以及
第4过孔，其连接所述第2突出部与所述第4布线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
