[发明专利]一种光导开关及其制备方法在审
| 申请号： | 201710254689.4 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735849A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王华杰;王燕;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0312;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光导开关，包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的碳化硅薄膜；位于所述碳化硅薄膜上的金属电极。本发明提供的光导开关，使用廉价广泛的单晶硅衬底，采用硅衬底上生长碳化硅薄膜的方式取代传统的碳化硅衬底，降低碳化硅的制备难度，提高生产效率，降低了光导开关的成本，有利于光导开关的大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 光导开关 硅衬底 碳化硅薄膜 碳化硅 衬底 制备 生长碳化硅薄膜 单晶硅 大规模应用 金属电极 生产效率 传统的 | ||
【主权项】：
1.一种光导开关，其特征在于，包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的碳化硅薄膜；位于所述碳化硅薄膜上的金属电极。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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