[发明专利]镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法

摘要

本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，提供了一种镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法。具体是以金属为衬底，先使用磁控溅射方法在金属衬底上制备金层，再使用电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积ECR‑PEMOCVD方法，依次进行氢等离子体清洗金层、制备Mo_xW_1‑xS₂层、制备Al_yGa_zIn_1‑y‑zN缓冲层和制备Al_yGa_zIn_1‑y‑zN外延层。可在廉价的多晶甚至非晶金属衬底上制备出高晶体质量的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜。所制备的氮化铝镓铟/二硫化钼膜可直接作为GaN基器件的模板衬底等使用，具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种镀金金属衬底上的Al_yGa_zIn_1-y-zN/Mo_xW_1-xS₂膜，其特征在于，采用金属作为衬底，金属衬底（1）的上表面依次有金层（2）、Mo_xW_1-xS₂层（3）、Al_yGa_zIn_1-y-zN缓冲层（4）和Al_yGa_zIn_1-y-zN外延层（5）；/n所述金属衬底（1）是一层金属衬底或多层金属板/箔的复合金属衬底，金属衬底（1）的厚度为0.01～3mm；/n所述金层（2）的厚度为20～300nm；/n所述Mo_xW_1-xS₂层（3）的厚度为0.65～6.5nm，Mo_xW_1-xS₂层（3）的组分值控制为：0≤x≤1；/n所述Al_yGa_zIn_1-y-zN缓冲层（4）的厚度为10～200nm，Al_yGa_zIn_1-y-zN缓冲层（4）的组分值控制为：0≤y≤1、0≤z≤1、0≤1-y-z≤1；/n所述Al_yGa_zIn_1-y-zN外延层（5）的厚度为0.3～3μm，Al_yGa_zIn_1-y-zN外延层（5）的组分值控制为：0≤y≤1、0≤z≤1、0≤1-y-z≤1。/n