[发明专利]形成介电层的方法及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710244642.X | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735574B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄宣惠;金铭云;曹仑廷;李相益;全相勇;郑仁京;郑元雄;崔晶植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;DNF有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH |
||
| 搜索关键词： | 形成 介电层 方法 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成介电层的方法，其特征在于，包括：在衬底上使用含有由以下化学式1表示的化合物的硅前驱物形成初始介电层；以及对所述初始介电层进行能量处理以形成介电层，![]()
其中，在所述化学式1中，n为1或2，R1、R2、R3、R5以及R6中的至少两个是‑O‑R7且其它各自独立地是氢、(C1‑C10)烷基、(C3‑C10)烯基、(C3‑C10)炔基以及(C1‑C10)烷氧基中的一种，R7是氢、(C1‑C10)烷基、(C3‑C10)烯基以及(C3‑C10)炔基中的一种，以及R4是致孔剂基团，包含(C3‑C10)烯基、(C3‑C10)炔基、(C3‑C10)芳基、(C3‑C10)杂芳基、(C3‑C10)环烷基、(C3‑C10)环烯基、(C3‑C10)环炔基、(C3‑C10)杂环烷基、(C3‑C10)芳基(C1‑C10)烷基、(C3‑C10)环烷基(C1‑C10)烷基以及(C3‑C10)杂环烷基(C1‑C10)烷基中的一种，其中Si‑CH3键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;DNF有限公司，未经三星电子株式会社;DNF有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710244642.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制作石英碘钨加热灯管的流程方法
- 下一篇：晶圆处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
