[发明专利]形成介电层的方法及制造半导体装置的方法

说明书

本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH₃键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。

技术领域

本发明的一些实例实施例涉及一种半导体装置以及其制造方法，具体地说，涉及一种使用硅前驱物形成低k介电层的方法以及使用所述方法制造半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置由于其相对较小的尺寸、多功能性和/或相对较低的成本特征而成为电子工业中的重要元件。一般来说，半导体装置分类成用于存储数据的存储装置、用于处理数据的逻辑装置以及用于执行各种功能的混合装置。

随着电子工业发展，越来越需要具有较高集成密度以及较高性能的半导体装置。为了满足这种需求，必需降低工艺裕量(例如在光刻工艺中)。虽然为了克服这种困难已经进行许多研究，但是降低工艺裕量导致半导体装置制造出现若干困难。

发明内容

本发明概念的一些实例实施例提供一种形成具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度的低k介电层的方法。

本发明概念的一些实例实施例提供一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置经配置以使得其互连线的寄生电容相对较低。

根据本发明概念的一些实例实施例，一种形成介电层的方法包含在衬底上使用含有由以下化学式1表示的化合物的硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si-CH₃键结单元与Si-O键结单元的比率在0.5到5范围内。

[化学式1]

其中在化学式1中，n是1或2，R₁、R₂、R₃、R₅以及R₆中的至少两个是-O-R₇且其它各自独立地是氢、(C₁-C₁₀)烷基、(C₃-C₁₀)烯基、(C₃-C₁₀)炔基以及(C₁-C₁₀)烷氧基中的一种，R₇是氢、(C₁-C₁₀)烷基、(C₃-C₁₀)烯基以及(C₃-C₁₀)炔基中的一种，且R₄是致孔剂基团，包括(C₃-C₁₀)烯基、(C₃-C₁₀)炔基、(C₃-C₁₀)芳基、(C₃-C₁₀)杂芳基、(C₃-C₁₀)环烷基、(C₃-C₁₀)环烯基、(C₃-C₁₀)环炔基、(C₃-C₁₀)杂环烷基、(C₃-C₁₀)芳基(C₁-C₁₀)烷基、(C₃-C₁₀)环烷基(C₁-C₁₀)烷基以及(C₃-C₁₀)杂环烷基(C₁-C₁₀)烷基中的一种。

根据本发明概念的一些实例实施例，一种形成介电层的方法包含在衬底上使用含有由以下化学式1表示的化合物的硅前驱物形成介电层，

[化学式1]