[发明专利]一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜在审
| 申请号： | 201710239668.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107017153A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 任庆荣;李良坚;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 林桐苒,李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，其中，该多晶硅薄膜制作方法包括沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本发明实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
