[发明专利]硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法。该光电探测器由下至上依次层叠的硅材料层、绝缘介质层、二维半导体材料层和金属电极；绝缘介质层中心开有通孔，二维半导体材料通过通孔与硅材料形成异质结，通过结区电流变化检测外界光的变化。该光电检测器制备方法简单，其制备过程均与半导体工艺兼容，适合大规模工业生产；制得的光电检测器拥有硅基易集成的特点，结构简单，可控性强，同时具有光响应度高、响应速度快的特点，对可见光的响应度优于普通的硅光探测器件，光探测响应时间为微妙量级。

主权项

一种硅/二维半导体异质结型光电探测器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的硅材料层、绝缘介质层、二维半导体材料层和金属电极；所述绝缘介质层中心开有通孔，二维半导体材料通过通孔与硅材料形成异质结。