[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明属于无机非金属材料科学和光电薄膜与器件制造领域，具体公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法，薄膜太阳能电池的结构为FTO/CdS/Sb2S3(Se)/缓冲层/金属电极，其中缓冲层为p型过渡金属氧化物，包括但不限于WO3，MoO3，NiO，CoO等，金属电极为高功函数金属包括但不限于Ag，Au，Pt等，制备步骤包括(1)基片清洗；(2)CdS薄膜沉积；(3)Sb2S3(Se)薄膜制备；(4)缓冲层和金属电极沉积；本发明的目的在于提供一种基于新材料、新结构的Sb2S3(Se)薄膜太阳能电池，及一种生产与设备简单，成本低廉，能制备大面积Sb2S3(Se)薄膜及其太阳能电池的技术。

主权项

一种薄膜太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池是以Sb2S3(Se)材料作为吸光层，其结构顺次为FTO层、CdS层、Sb2S3(Se)层、缓冲层及金属电极，其中缓冲层为p型过渡金属氧化物，金属电极为高功函数金属。