[发明专利]一种制备电子级二氯二氢硅的方法

摘要

本发明公开了一种制备电子级二氯二氢硅的方法。其中，该方法包括以下步骤：S1，将芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应，得到的反应产物；S2，将反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的重组分得到提纯产品；S3，将提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅。应用本发明的技术方案，本工艺极大地的缩短流程，降低了设备投资和运行能耗，产品品质达到电子级。

主权项

1.一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，将芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应，得到的反应产物；/nS2，将所述反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的重组分得到提纯产品；/nS3，将所述提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到所述电子级二氯二氢硅；/n所述S1中，所述芳香醛和/或芳香醛的衍生物与所述原料二氯二氢硅中杂质的摩尔比为100～10000:1；/n所述S1中，反应的压力控制在0～8bar，反应的温度在0～100℃，反应的时间为20min～48小时；/n所述方法是在制备电子级二氯二氢硅的装置中进行的，所述装置包括用于芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应的反应器和用于将反应器中的反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的脱除重组分的提纯塔和用于将提纯产品进一步去除杂质的吸附提纯单元；/n所述提纯塔包括与反应器依次连通的第一脱重塔、脱轻塔和第二脱重塔；其中，所述脱轻塔和所述第二脱重塔采用差压热耦合，所述脱轻塔操作压力范围为0.05～0.3MPa，所述第二脱重塔操作压力范围为0.25～0.8MP a，两塔压差范围为0.2～0.5MP a；所述提纯塔为填料塔或筛板塔，所述提纯塔的材质为316L不锈钢，内壁经电解抛光，表面粗糙度为0.05～0.5μm，所述提纯塔内与物料接触的管道选用316L不锈钢材质的电解抛光管道，阀门选用隔膜阀；所述反应器为具有控温、控压和搅拌功能的反应器；/n所述芳香醛或芳香醛的衍生物与所述原料二氯二氢硅从所述反应器的顶部加入，所述反应器的底部产物进入所述第一脱重塔，所述第一脱重塔塔顶产物进入所述脱轻塔，所述第一脱重塔塔底出来的未反应的芳香醛或芳香醛的衍生物返回所述反应器使用，所述脱轻塔塔底产物进入所述第二脱重塔，脱出所述脱轻塔塔底出来的高沸物，提纯产品由所述第二脱重塔的塔顶排出进入所述吸附提纯单元，所述吸附提纯单元包含一台或多台的吸附柱，所述吸附柱内填料为络合物聚合树脂或活性炭，其中络合物聚合树脂根据功能基团分别用于吸附B、P和金属杂质，其中金属杂质包括Al、Fe、Cr或N，所述吸附柱的高径比在2～10之间，温度在20～70℃之间，所述吸附柱的压力在0.2～1.0Mpa之间，所述吸附柱的材质为316L不锈钢，内壁经电解抛光，表面粗糙度为0.1～0.5μm；/n所述原料二氯二氢硅中二氯二氢硅的质量百分含量为98％～99％。/n