[发明专利]有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法，有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位于疏水层上，且氧化层具有多个区段。亲水层位于氧化层的区段上，且氧化层位于亲水层与疏水层之间。半导体层位于亲水层上，且亲水层位于半导体层与氧化层之间。源极或漏极层跨接于氧化层的区段上的半导体层上。有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤，便可将亲水层图案化，使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中，具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：基板；疏水层，覆盖所述基板的表面；氧化层，位于所述疏水层上，且所述氧化层具有多个区段；亲水层，位于所述氧化层的所述多个区段上，其中所述氧化层位于所述亲水层与所述疏水层之间；半导体层，位于所述亲水层上，其中所述亲水层位于所述半导体层与所述氧化层之间；以及源极或漏极层，跨接于所述氧化层的所述多个区段上的所述半导体层上。