[发明专利]存储结构、其操作方法、和其制造方法有效
申请号: | 201710211117.8 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN108630701B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 赖二琨;龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11578 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种存储结构,包括多个堆叠、多个存储层、多个通道层、多个介电层、和多个第一导线。该些堆叠各包括一组彼此交替的导电条和绝缘条。存储层共形地设置在堆叠上。通道层共形地设置在存储层上。介电层至少设置在通道层位于该些堆叠的第一侧的部分和通道层位于该些堆叠的第二侧的多个部分上。第一导线沿着堆叠的侧壁设置。第一导线由介电层与通道层隔绝。设置在一堆叠的第一侧的一第一导线,与设置在相同堆叠的第二侧的一第一导线隔绝,并与设置在一相邻堆叠的第二侧的一第一导线隔绝。 | ||
搜索关键词: | 存储 结构 操作方法 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储结构,其特征在于,包括:一基板;多个堆叠,设置在该基板上,其中该些堆叠各具有一第一侧和一第二侧,且该些堆叠各包括一组彼此交替的多个导电条和多个绝缘条;多个存储层,共形地设置在该些堆叠上;多个通道层,共形地设置在该些存储层上;多个介电层,至少设置在该些通道层位于该些堆叠的该些第一侧的多个部分和该些通道层位于该些堆叠的该些第二侧的多个部分上;以及多个第一导线,沿着该些堆叠的侧壁设置,其中该些第一导线由该些介电层与该些通道层隔绝;其中该些第一导线包括设置在该些堆叠的该些第一侧的一第一组第一导线和设置在该些堆叠的该些第二侧的一第二组第一导线,设置在该些堆叠中的一堆叠的该第一侧的该第一组第一导线中的一第一导线,与设置在相同堆叠的该第二侧的该第二组第一导线中的一第一导线隔绝,并与设置在该些堆叠中的一相邻堆叠的该第二侧的该第二组第一导线中的一第一导线隔绝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的