[发明专利]存储结构、其操作方法、和其制造方法

说明书

一种存储结构，包括多个堆叠、多个存储层、多个通道层、多个介电层、和多个第一导线。该些堆叠各包括一组彼此交替的导电条和绝缘条。存储层共形地设置在堆叠上。通道层共形地设置在存储层上。介电层至少设置在通道层位于该些堆叠的第一侧的部分和通道层位于该些堆叠的第二侧的多个部分上。第一导线沿着堆叠的侧壁设置。第一导线由介电层与通道层隔绝。设置在一堆叠的第一侧的一第一导线，与设置在相同堆叠的第二侧的一第一导线隔绝，并与设置在一相邻堆叠的第二侧的一第一导线隔绝。

技术领域

本发明是关于一种半导体结构、其操作方法、和其制造方法。本发明特别是关于一种存储结构、其操作方法、和其制造方法。

背景技术

为了减少体积、降低重量、增加功率密度、和改善可携带性等理由，研究者与工程师们尽其努力地增加半导体装置的密度。其中一种方法是使用3D结构取代传统的2D结构。另一种方法是减少装置中的元件和间隔的尺寸。这二种方法都有其技术瓶颈需要突破。

发明内容

本发明是关于存储结构、以及其操作方法和制造方法，通过其可提供具有实体上二位存储结构的存储装置。

根据一些实施例，一种存储结构，包括一基板、多个堆叠、多个存储层、多个通道层、多个介电层、和多个第一导线。堆叠设置在基板上。该些堆叠各具有一第一侧和一第二侧。该些堆叠各包括一组彼此交替的多个导电条和多个绝缘条。存储层共形地设置在堆叠上。通道层共形地设置在存储层上。介电层至少设置在通道层位于该些堆叠的该些第一侧的多个部分和通道层位于该些堆叠的该些第二侧的多个部分上。第一导线沿着堆叠的侧壁设置。第一导线由介电层与通道层隔绝。第一导线包括设置在该些堆叠的该些第一侧的一第一组第一导线和设置在该些堆叠的该些第二侧的一第二组第一导线，设置在该些堆叠中的一堆叠的第一侧的第一组第一导线中的一第一导线，与设置在相同堆叠的第二侧的第二组第一导线中的一第一导线隔绝，并与设置在该些堆叠中的一相邻堆叠的第二侧的第二组第一导线中的一第一导线隔绝。

根据一些实施例，一种存储结构(例如上述的存储结构)的操作方法，包括通过选择对应的一或二个串列选择线、对应的一位线、和对应的一字线，选择一存储单元。

根据一些实施例，一种存储结构的制造方法包括下列步骤。提供一基板。形成多个堆叠在基板上。该些堆叠各具有一第一侧和一第二侧。该些堆叠各包括一组彼此交替的多个导电条和多个绝缘条。形成多个存储层共形地位在堆叠上。形成多个通道层共形地位在存储层上。形成多个介电层在至少通道层位于该些堆叠的该些第一侧的多个部分和通道层位于该些堆叠的该些第二侧的多个部分上。形成多个第一导线沿着堆叠的侧壁。第一导线由介电层与通道层隔绝。第一导线包括形成在该些堆叠的该些第一侧的一第一组第一导线和形成在该些堆叠的该些第二侧的一第二组第一导线，形成在该些堆叠中的一堆叠的第一侧的第一组第一导线中的一第一导线，与形成在相同堆叠的第二侧的第二组第一导线中的一第一导线隔绝，并与形成在该些堆叠中的一相邻堆叠的第二侧的第二组第一导线中的一第一导线隔绝。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据实施例的一种存储结构。

图2绘示该种存储结构的操作方法。

图3绘示根据实施例的另一种存储结构。

图4绘示该另一种存储结构的操作方法。

图5A～图19C绘示根据实施例的一种存储结构的制造方法。

【符号说明】

100、200：存储结构

102：基板

104、204：埋层

106：源极线