[发明专利]基于柔性衬底的低In组分InGaAsMOSFET器件及制作方法在审
| 申请号： | 201710206665.1 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107093624A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘琛;吕红亮;余维健;张玉明;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/201;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/683 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于柔性衬底的低In组分InGaAs MOSFET器件及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ‑V材料的MOSFET只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性及高频环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、半导体功能薄膜层(2)、氧化层(3)和金属电极(4)，其中衬底采用聚酰亚胺柔性衬底；半导体功能薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有高工作频率的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 柔性 衬底 in 组分 ingaasmosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于柔性衬底的低In组分InGaAs MOSFET器件，自下而上包括衬底(1)、半导体功能薄膜层(2)、氧化层(3)和金属电极(4)，其特征在于：衬底(1)，采用聚酰亚胺柔性衬底；半导体功能薄膜层(2)，采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层，以保证器件的延展性和弯曲性。
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