[发明专利]一种低温烧结高介电常数电容器介质材料

摘要

本发明公开了一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，化学式为Bi2(Mg1‑xCux)2/3Nb4/3O7，其中x＝0.05～0.2；先按化学式称量配料，经过球磨、烘干，过筛，再于750℃下煅烧，合成主晶相；成型后坯体于850～950℃烧结，制成所需的陶瓷电容器介质材料。本发明介电常数在180～210之间，低的介电损耗24.6～55.3×10‑4，电容量温度系数TCC在‑200×10‑6/℃～460×10‑6/℃之间，可用于多层片式陶瓷电容器的制备，同时具有较低的烧结温度，可降低多层器件的成本。

主权项

一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，化学式为Bi2(Mg1‑xCux)2/3Nb4/3O7，其中x＝0.05～0.2。该电容器介质材料的制备方法，具有如下步骤：(1)将原料Bi2O3、Nb2O5、CuO、MgO按Bi2(Mg1‑xCux)2/3Nb4/3O7，其中x＝0.05～0.2的化学式称量配料；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于750℃下煅烧4小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)合成主晶相后的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以4MPa的压力成型为坯体；(5)将步骤(4)成型后的坯体于850～950℃烧结，保温4小时，制成高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料。