[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710203713.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106952826A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/12;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括在基板上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成源极及漏极；形成覆盖源极及漏极的碳量子点有源层；在碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极。通过上述方法，本发明使用碳量子点为材料制备场效应晶体管中的有源层，丰富了场效应晶体管的制备材料，减少了现有技术中使用金属点膜层制备有源层时对环境的污染，同时降低了对金属元素的依赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成源极及漏极；形成覆盖所述源极及漏极的碳量子点有源层；在所述碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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