[发明专利]使用含硫掩模选择性自对准图案化锗硅、锗和III/V族材料

摘要

本发明涉及使用含硫掩模选择性自对准图案化锗硅、锗和III/V族材料。一种使用基于硫的掩模图案化包含多个层的衬底的方法包括：提供包含第一层和布置在所述第一层上的第二层的衬底。所述第一层包含选自由锗、硅锗和III/V族材料组成的群组中的材料。该方法包括：通过将所述衬底暴露于第一湿化学物质，在所述第一层和所述第二层的侧壁上沉积包含硫物质的掩模层。该方法包括通过将所述衬底暴露于第二湿化学物质，去除所述第二层的所述侧壁上的所述掩模层，而不完全去除所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层。该方法包括通过将所述衬底暴露于第三湿化学物质，相对于所述第一层和所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层选择性地蚀刻所述第二层。

主权项

一种使用基于硫的掩模图案化包含多个层的衬底的方法，其包括：a)提供包含第一层和布置在所述第一层上的第二层的衬底，其中所述第一层包含选自由锗、硅锗和III/V族材料组成的群组中的材料；b)通过将所述衬底暴露于第一湿化学物质，在所述第一层和所述第二层的侧壁上沉积包含硫物质的掩模层；c)通过将所述衬底暴露于第二湿化学物质，去除所述第二层的所述侧壁上的所述掩模层，而不完全去除所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层；以及d)通过将所述衬底暴露于第三湿化学物质，相对于所述第一层和所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层选择性地蚀刻所述第二层。