[发明专利]制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装在审
| 申请号： | 201710195432.6 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546134A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 金钟薰;金大元;崔亨硕;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装。提供的是一种晶片级封装及其制造方法。可以通过在虚设晶片上布置第一半导体裸片并且形成模制层和模制覆盖层来形成重构基板。可以将第二半导体裸片堆叠在所述第一半导体裸片上并且可以形成光敏介电层。可以对穿透所述光敏介电层的导电通孔进行电镀。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶片 封装 方法 由此 | ||
【主权项】：
一种晶片级封装，该晶片级封装包括：模制层，该模制层围绕第一半导体裸片的表面和侧面；重构基板，该重构基板包括覆盖所述模制层的表面的模制覆盖层；第二半导体裸片，该第二半导体裸片被堆叠在所述第一半导体裸片上；第一光敏介电层，该第一光敏介电层形成在所述重构基板上以覆盖所述第二半导体裸片；以及导电通孔，该导电通孔穿透所述第一光敏介电层并且分别连接至所述第一半导体裸片的一部分和所述第二半导体裸片的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
