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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双特异性或多特异性抗体-CN202180093319.1在审
发明人：李东宪;梁元准;金玎沅;丁愚锡;朴珠铉;文升兑;金智娜;李相浩;金美谦;宋泫炵;崔亨硕 -专利权人：三星生物株式会社
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C07K16/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新形式的双特异性或多特异性抗体，其包括其中CH3二聚体已被引入Fab区的一部分的多肽。新形式的双特异性或多特异性抗体尽管在重链和轻链之间几乎不表现出非特异性结合并且几乎不产生同源二聚体，但能够形成异源二聚体，并且因此可以通过动物细胞高度表达。另外，双特异性或多特异性抗体可以通过现有的单克隆抗体的纯化过程获得，并且具有等同于或高于单克隆抗体的稳定性。
特异性抗体

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910879823.9有效
发明人： 崔亨硕;徐铉哲;金胜桓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体封装件及其制造方法。一种制造半导体封装件的方法可以包括在基板主体的表面上形成镀覆层。可以在镀覆层上形成电路抗蚀剂图案和监测抗蚀剂图案，并且可以使用电路抗蚀剂图案和监测抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻镀覆层，从而形成电路图案和监测图案的子图案。在用于形成电路图案和监测图案的子图案之后通过检查剩余在基板主体上的监测图案的子图案的数量，可以监测电路图案的残留率。半导体芯片可以使用内部连接器接合到电路图案。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装-CN202110677211.9在审
发明人：金胜桓;徐铉哲;崔亨硕;玄文言 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装。一种半导体芯片包括：具有前表面和后表面的主体部分；穿透主体部分并且沿第一方向布置在阵列区域中的多个贯通电极；在主体部分的前表面上方分别联接到贯通电极的多个前表面连接电极；以及在主体部分的后表面上方分别联接到贯通电极的多个后表面连接电极。阵列区域包括中央区域以及在第一方向上位于中央区域的两侧的边缘区域。位于各个边缘区域中的前表面连接电极的中心和后表面连接电极的中心被设置在比对应贯通电极的中心距中央区域更远的距离处。
包括贯通电极半导体芯片封装

[发明专利]包括重分布层的半导体装置及其制造方法-CN202011079084.4在审
发明人：金胜桓;徐铉哲;崔亨硕;朴信映 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括重分布层的半导体装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：下部结构；重分布绝缘层，该重分布绝缘层设置在下部结构上方；重分布导电层，该重分布导电层设置在重分布绝缘层上方并电连接到下部结构的一部分，重分布导电层包括重分布焊盘；以及保护层，该保护层覆盖重分布绝缘层和重分布导电层，并且使重分布焊盘暴露。重分布导电层包括与重分布焊盘相邻设置的沟槽，并且保护层的一部分填充沟槽。
包括分布半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有插座插头互连结构的半导体封装-CN201510633171.2有效
发明人： 崔亨硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：具有插座插头互连结构的半导体封装。一种半导体封装可以包括第一基板和第二基板。插座凸块可以被设置在第一基板上以在插座凸块内提供插槽。插头凸块可以被设置在第二基板上。插头凸块可以构造为插入到插座凸块的插槽中，并且可以电连接至插座凸块。还可以提供相关的存储卡和电子系统。
具有插座插头互连结构半导体封装

[发明专利]晶圆级封装件及其制造方法-CN201610901128.4有效
发明人： 崔亨硕;成基俊;金钟薰;刘荣槿;裴弼淳 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：晶圆级封装件及其制造方法。根据各种实施方式，可以提供封装件、半导体和晶圆级封装件，并且可以提供制造封装件、半导体和晶圆级封装件的方法。一种制造晶圆级封装件的方法可以包括以下步骤：在保护晶圆的表面处形成对准标记；利用所述对准标记来将半导体管芯安装在所述保护晶圆上；形成覆盖所述半导体管芯的第一感光介电层；将所述第一感光介电层的顶表面平坦化；将经平坦化的第一感光介电层的部分曝光并且对其进行显影，以形成使所述半导体管芯的一部分暴露的开口部；以及在所述第一感光介电层上形成再分配线。可以形成第二感光介电层以覆盖所述再分配线。还可以提供相关的晶圆级封装件。
晶圆级封装及其制造方法

[发明专利]包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法-CN201610638430.5有效
发明人：金钟薰;成基俊;刘荣槿;崔亨硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法，第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部，并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成，并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器，所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。
包括贯通模具连接器半导体封装及其制造方法

[发明专利]提取胰腺癌诊断生物标志物的方法、用于该方法的计算装置、胰腺癌诊断生物标志物以及包含该生物标志物的胰腺癌诊断装置-CN201480019133.1有效
发明人： 崔亨硕;许智渊;崔龙镇;鱼海锡;宋始英;郑多云 -专利权人： LG电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明公开了提取胰腺癌诊断用生物标志物的方法、用于所述方法的计算装置、胰腺癌诊断用生物标志物以及包含该生物标志物的胰腺癌诊断用装置。更具体地，本发明公开了利用在胰腺癌患者中特异性表达的基因或者获自血液或组织的与所述基因配对的微RNA来提取胰腺癌诊断用生物标志物的方法、用于所述方法的计算装置、胰腺癌诊断用生物标志物以及包含该生物标志物的胰腺癌诊断用装置。
提取胰腺癌诊断生物标志方法用于计算装置以及包含

[发明专利]制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装-CN201710195432.6在审
发明人：金钟薰;金大元;崔亨硕;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装。提供的是一种晶片级封装及其制造方法。可以通过在虚设晶片上布置第一半导体裸片并且形成模制层和模制覆盖层来形成重构基板。可以将第二半导体裸片堆叠在所述第一半导体裸片上并且可以形成光敏介电层。可以对穿透所述光敏介电层的导电通孔进行电镀。
制造晶片封装方法由此

[发明专利]包括贯穿模球连接体的半导体封装及其制造方法-CN201710152289.2在审
发明人：成基俊;金钟薰;郑然丞;崔亨硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：包括贯穿模球连接体的半导体封装及其制造方法。提供了一种制造半导体封装的结构和方法。该方法包括将第一半导体器件和贯穿模球连接体(TMBC)设置在互连结构层的第一表面上；在互连结构层的第一表面上使模塑层凹陷以暴露各个TMBC的一部分；将外连接体附接至TMBC的暴露部分；以及将第二半导体器件安装在与模塑层相反的互连结构层的第二表面上。
包括贯穿连接半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装体-CN201510386549.3在审
发明人： 崔亨硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包含：基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；多个贯穿电极，其穿透该基板且自该第一表面延伸至该第二表面；前侧凸块，其设置于该第一表面上且连接至该多个贯穿电极中的奇数贯穿电极；以及背侧凸块，其设置于该第二表面上且连接至该多个贯穿电极中的偶数贯穿电极。本发明还提供相关的半导体封装、制造方法、电子系统及存储卡。
半导体封装

[发明专利]使用穿通电极制备堆叠封装的方法-CN200910003382.2无效
发明人：韩权焕;朴昌濬;金圣哲;金圣敏;崔亨硕;李荷娜 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制备晶片级堆叠封装的方法，包括步骤：背面研磨包括多个第一半导体芯片的晶片的下表面；将支承构件附着到被背面研磨的晶片的下表面；将一个或更多单独的第二半导体芯片堆叠到被背面研磨的晶片的各第一半导体芯片上；形成第一穿通电极以电连接所堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片；将第三半导体芯片附着到所堆叠的第二半导体芯片中的最上面的芯片，该第三半导体芯片具有电连接到第一穿通电极的第二穿通电极和连接到该第二穿通电极的重配置线；将外部连接端子连接到该第三半导体芯片的重配置线；以及切割其上堆叠第二和第三半导体芯片的晶片级的第一半导体芯片以用于芯片级半导体封装。
使用通电制备堆叠封装方法

[发明专利]用于磁带记录器的油溅落防止设备-CN200510103925.X无效
发明人：金奉珠;崔亨硕;徐在甲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B15/00 文献下载
摘要：一种一种油溅落防止设备，包括：可旋转地设置在走带机构上的轴；设置在走带机构上、用于可旋转支撑所述轴的保持架；及油溅落防止装置，该油溅落防止装置包括形成在保持架上的第一油凹部和第二油凹部。
用于磁带记录器溅落防止设备

[发明专利]结构简单的磁带卷盘制动装置和具有其的磁记录/再现装置-CN200510081804.X无效
发明人：金俊宁;朴炳培;吴政协;沈在勋;李承雨;崔亨硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11B15/18 文献下载
摘要：公开了一种磁带卷盘制动装置和具有该装置的磁记录和再现装置。磁带卷盘制动装置包括：安装在卷盘的外周上的张力带，以控制张力；可旋转地安装到主机架上的卷盘，以驱动磁带盒的磁带卷轴；以及固定到主机架上的制动单元，以使张力带与卷盘的外周相接触。此制动单元可以替换传统的结构复杂制动单元，并且因此，部件部分的数目可以被减小。
结构简单磁带制动装置具有记录再现

[发明专利]鼓电机的定子组件和磁记录/再现装置的磁头鼓组件-CN200510075410.3无效
发明人：金明俊;白忠钦;朴炳培;沈在勋;李承雨;崔亨硕;吴政协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-01 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11B5/53 文献下载
摘要：提供了一种磁头鼓用的电机的定子组件以产生与电机转子相对设置的驱动力。定子电机包括双侧可变形印刷电路(FPC)。被形成为图案的信号线被形成在可变形印刷电路(FPC)的两侧上用于输入电信号。多个被缠绕的驱动线圈被连接到可变形印刷电路(FPC)的第一侧以电学地与信号线相连接。磁轭连接到可变形印刷电路(FPC)的第二侧。
电机定子组件记录再现装置磁头

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