[发明专利]一种双波段探测器的制作方法

摘要

一种双面红外/紫外双波段探测器制作方法，通过红外探测区以及紫外探测区的结构和位置的设置，紫外探测区域在正面入射光探测时使用正面入光p－i－n结构，在背面入射光探测时使用背面入光p－i－n结构，红外探测区域分别使用衬底正面和背面的探测结构进行探测，使制作的双面红外/紫外双波段探测器，能够对于正面/背面入射的红外/紫外光都能够进行探测，并且红外和紫外光探测区域互不干扰，从而实现了双面探测的功能。

主权项

一种双面红外/紫外双波段探测器制作方法，包括如下步骤：（1）通过MOCVD法在衬底上表面生长N型GaN层；（2）通过MOCVD法在N型GaN层上第一区域上依次生长i型GaN层以及P型GaN层；（3）通过溶胶－凝胶法在N型GaN层上第二区域上依次生长SiO2钝化层，多孔SO2隔热层，红外热吸收层以及PZT薄膜层；（5）通过MOCVD法在衬底下表面对应第二区域的位置生长GaN缓冲层；（6）通过溶胶－凝胶法在GaN缓冲层外依次生长SiO2钝化层，多孔SO2隔热层，红外热吸收层以及PZT薄膜层；（7）通过IPC刻蚀得到N型GaN层左侧台面，以及第一区域与第二区域之间的间隔；（8）通过电子束蒸发在N型GaN层左侧台面上下沉积In/ Au合金，在P型GaN层沉积Ni/Au合金；（9）通过IPC刻蚀得到上部以及下部红外热吸收层左侧台面；（10）通过电子束蒸发在上部以及下部红外热吸收层左侧台面沉积下电极；（11）通过电子束蒸发在上部以及下部PZT薄膜层沉积上电极。