[发明专利]一种基于IGBT器件瞬态物理过程的分段折线建模方法有效
申请号: | 201710182414.4 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106991221B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 赵争鸣;蒋烨;檀添;李帛洋;凌亚涛;施博辰;袁立强;陈凯楠 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种电力半导体器件IGBT在硬开关工作模式下瞬态物理过程的分段折线建模方法,其特征在于基于典型IGBT内部结构及其瞬态物理过程,在一定的简化假设条件下,用分段函数描述IGBT开通和关断过程中的集射极电压v |
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搜索关键词: | 一种 基于 igbt 器件 瞬态 物理 过程 分段 折线 建模 方法 | ||
【主权项】:
一种基于IGBT瞬态物理过程的分段折线模型,其特征在于,基于典型IGBT内部结构及其瞬态物理过程,在一定的简化假设条件下,用分段函数描述IGBT开通和关断过程中的集射极电压vce、集电极电流ic和栅极电压vge。
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