[发明专利]一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用有效
申请号: | 201710179475.5 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN107134412B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 喻志农 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/417;H01L21/3213;H01L29/786 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及半导体加工制造领域,公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺,工艺为:在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案,实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜,再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀,最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点,Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏,同时ILD孔径略小于Mo技术图案,S/D电极在Poly表面层接触面积扩展,在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小,能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小,避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 漏电 刻蚀 工艺 应用 | ||
【主权项】:
1.一种源漏电极过孔刻蚀工艺,该工艺为:在多晶硅层表面镀一层薄金属层,在固定位置形成金属层图案;在此基础上完成栅绝缘层、栅电极、层间介质层的淀积 ;采用二次刻蚀的方法完成层间介质孔刻蚀,溅射沉积形成源/漏电极,其特征在于,具体步骤为:S301:在多晶硅层表面形成金属薄层,所述金属薄层在位于层间介质刻蚀孔位置刻蚀成固定金属图案;S302:依次淀积栅绝缘层、栅电极和层间介质层;S303:采用干法刻蚀层间介质层与栅绝缘层,采用湿刻工艺对金属图案进行刻蚀,最终形成层间介质孔;所述干法刻蚀的工艺为:采用O2、CF4、Ar、H2混合气体刻蚀,O2:0~600mL/min,CF4:250~500mL/min,Ar:1600~2000mL/min,H2:120~180mL/min,源极射频功率为13000~18000W,偏置射频功率为1500~3000W,刻蚀腔体压强小于15Pa;设备下部电极的温度为45‑55℃,反应腔壁的温度为55‑65℃,设备顶部的温度为65‑75℃;S304:通过溅射沉积工艺完成源/漏电极,形成完整TFT结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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