[发明专利]一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用

摘要

本发明涉及半导体加工制造领域，公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺，工艺为：在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案，实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜，再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀，最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点，Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏，同时ILD孔径略小于Mo技术图案，S/D电极在Poly表面层接触面积扩展，在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小，能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小，避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。

主权项

1.一种源漏电极过孔刻蚀工艺，该工艺为：在多晶硅层表面镀一层薄金属层，在固定位置形成金属层图案；在此基础上完成栅绝缘层、栅电极、层间介质层的淀积 ；采用二次刻蚀的方法完成层间介质孔刻蚀，溅射沉积形成源/漏电极，其特征在于，具体步骤为：S301：在多晶硅层表面形成金属薄层，所述金属薄层在位于层间介质刻蚀孔位置刻蚀成固定金属图案；S302：依次淀积栅绝缘层、栅电极和层间介质层；S303：采用干法刻蚀层间介质层与栅绝缘层，采用湿刻工艺对金属图案进行刻蚀，最终形成层间介质孔；所述干法刻蚀的工艺为：采用O₂、CF₄、Ar、H₂混合气体刻蚀，O₂：0～600mL/min，CF₄：250～500mL/min，Ar：1600～2000mL/min，H₂:120～180mL/min，源极射频功率为13000～18000W,偏置射频功率为1500～3000W，刻蚀腔体压强小于15Pa；设备下部电极的温度为45‑55℃，反应腔壁的温度为55‑65℃，设备顶部的温度为65‑75℃；S304：通过溅射沉积工艺完成源/漏电极，形成完整TFT结构。