[发明专利]一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用有效

专利信息
申请号: 201710179475.5 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107134412B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 喻志农 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/417;H01L21/3213;H01L29/786
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体加工制造领域,公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺,工艺为:在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案,实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜,再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀,最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点,Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏,同时ILD孔径略小于Mo技术图案,S/D电极在Poly表面层接触面积扩展,在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小,能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小,避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。
搜索关键词: 一种 漏电 刻蚀 工艺 应用
【主权项】:
1.一种源漏电极过孔刻蚀工艺,该工艺为:在多晶硅层表面镀一层薄金属层,在固定位置形成金属层图案;在此基础上完成栅绝缘层、栅电极、层间介质层的淀积 ;采用二次刻蚀的方法完成层间介质孔刻蚀,溅射沉积形成源/漏电极,其特征在于,具体步骤为:S301:在多晶硅层表面形成金属薄层,所述金属薄层在位于层间介质刻蚀孔位置刻蚀成固定金属图案;S302:依次淀积栅绝缘层、栅电极和层间介质层;S303:采用干法刻蚀层间介质层与栅绝缘层,采用湿刻工艺对金属图案进行刻蚀,最终形成层间介质孔;所述干法刻蚀的工艺为:采用O2、CF4、Ar、H2混合气体刻蚀,O2:0~600mL/min,CF4:250~500mL/min,Ar:1600~2000mL/min,H2:120~180mL/min,源极射频功率为13000~18000W,偏置射频功率为1500~3000W,刻蚀腔体压强小于15Pa;设备下部电极的温度为45‑55℃,反应腔壁的温度为55‑65℃,设备顶部的温度为65‑75℃;S304:通过溅射沉积工艺完成源/漏电极,形成完整TFT结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710179475.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top