[发明专利]一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用

权利要求书

1.一种源漏电极过孔刻蚀工艺，该工艺为：

在多晶硅层表面镀一层薄金属层，在固定位置形成金属层图案；

在此基础上完成栅绝缘层、栅电极、层间介质层的淀积 ；

采用二次刻蚀的方法完成层间介质孔刻蚀，溅射沉积形成源/漏电极，其特征在于，具体步骤为：

S301：在多晶硅层表面形成金属薄层，所述金属薄层在位于层间介质刻蚀孔位置刻蚀成固定金属图案；

S302：依次淀积栅绝缘层、栅电极和层间介质层；

S303：采用干法刻蚀层间介质层与栅绝缘层，采用湿刻工艺对金属图案进行刻蚀，最终形成层间介质孔；所述干法刻蚀的工艺为：采用O₂、CF₄、Ar、H₂混合气体刻蚀，O₂：0～600mL/min，CF₄：250～500mL/min，Ar：1600～2000mL/min，H₂:120～180mL/min，源极射频功率为13000～18000W,偏置射频功率为1500～3000W，刻蚀腔体压强小于15Pa；设备下部电极的温度为45-55℃，反应腔壁的温度为55-65℃，设备顶部的温度为65-75℃；

S304：通过溅射沉积工艺完成源/漏电极，形成完整TFT结构。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S301中的所述金属薄层的厚度为50～100nm。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S303中通过湿刻形成刻蚀孔径R_Mo大于采用干法刻蚀层间介质层与栅绝缘层的孔径R_ILD。

4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述孔径R_Mo-孔径R_ILD<0.5μm。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述S303中的湿法刻蚀的工艺为：温度控制在40～50℃，采用HNO₃、CH₃COOH、H₃PO₄混合刻蚀液，经E-UV照射，完成金属薄层刻蚀。

6.据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述金属层图案处理方法为：

通过曝光显影以及干法刻蚀形成固定图案。

7.一种半导基板生产中采用如权利要求1-6任一项所述的过孔刻蚀工艺制备源漏电极。