[发明专利]封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710177590.9 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108400097B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种封装结构及其制造方法，封装结构包含半导体基板、球下金属层，以及至少一个凸块。球下金属层配置于半导体基板上。凸块配置于球下金属层上，且包含第一部分及位于第一部分下方的第二部分，其中第一部分的上表面包含平坦部分以及圆弧部分。本发明提供了一种形成具有平坦上表面的凸块的方法，使得凸块可容易地连接至其他元件。此外，由于此方法运行于凸块的材料的熔点，使得元件的表现不易受到高温的影响，因此元件的表现也可提升。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装结构的方法，其特征在于，包含：在基板上形成介电层；在所述介电层中形成开口；在所述介电层的所述开口中形成至少一个凸块；移除所述介电层；以及对所述凸块执行压缩工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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