[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种封装结构及其制造方法，封装结构包含半导体基板、球下金属层，以及至少一个凸块。球下金属层配置于半导体基板上。凸块配置于球下金属层上，且包含第一部分及位于第一部分下方的第二部分，其中第一部分的上表面包含平坦部分以及圆弧部分。本发明提供了一种形成具有平坦上表面的凸块的方法，使得凸块可容易地连接至其他元件。此外，由于此方法运行于凸块的材料的熔点，使得元件的表现不易受到高温的影响，因此元件的表现也可提升。

技术领域

本发明是关于一种封装结构及其制造方法。

背景技术

近年来，覆晶技术(flip-chip)以及球栅阵列(ball grid array techniques)技术已广泛地用于将集成电路连接至内连接基板(如印刷电路板)以及封装基板。覆晶技术将集成电路组件晶片连接至内连接基板或印刷电路板的过程中，多个(如：阵列)锡球(也称为锡凸块)形成于组件(如集成电路晶片)的表面上，将组件上的锡凸块连接至其他组件。两个组件透过加热(如：在熔炉中加热)以回流(reflow)两个组件之间的凸块(如加热凸块，并使凸块冷却)，借此在两组件的端部之间形成电性连接。

然而，回流工艺一般导致高温，并影响组件的表现。因此，为得到较高品质以及稳定性，封装结构及形成方法是需要改良的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以使得元件的表现不易受到高温的影响，而且元件的表现也可提升的封装结构及其制造方法。

本发明的一实施例为一种形成封装的方法，包含在半导体基板上形成介电层。在介电层中形成开口。在介电层的开口中形成至少一个凸块。移除介电层。对凸块执行压缩工艺。

依据部分实施例，其中执行压缩工艺包含提供平板，并以平板压缩凸块的上表面。

依据部分实施例，其中平板的杨氏模量大于凸块的杨氏模量。

依据部分实施例，其中移除介电层是在对凸块执行压缩工艺之后执行。

依据部分实施例，其中移除介电层是在对凸块执压缩工艺之前执行。

依据部分实施例，此方法还包含连接电子元件至凸块，其中凸块是由导电材料所形成，且此方法是在低于导电材料的熔点的温度下执行。

本发明的另一实施例为一种封装结构，包含半导体基板以及至少一个凸块，凸块配置于半导体基板上，其中凸块包含第一部分以及位于第一部分下方的第二部分，且第一部分的上表面包含平坦部分及圆弧部分。

依据部分实施例，其中第一部分的宽度大于第二部分的宽度。

依据部分实施例，封装结构还包含球下金属层，配置于基板与凸块之间，其中凸块的侧壁与球下金属层的上表面之间的夹角实质上小于90度。

依据部分实施例，其中凸块的侧壁具有倾斜笔直表面。

本发明与现有技术相比，其可以使得元件的表现不易受到高温的影响，而且元件的表现也可以得到提升。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本发明的多个方面。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1A至图1I为本发明的部分实施例的形成封装结构的方法在不同制造阶段的剖面图。

图2A至图2C为本发明的部分实施例的形成封装结构的方法在不同制造阶段的剖面图。

具体实施方式