[发明专利]存储器件

摘要

在一个实施例中，半导体器件包括具有杂质区的衬底，并且衬底和杂质区具有不同的杂质特性。半导体器件还包括在衬底上交替的第一层间绝缘层和栅电极层的堆叠；在所述堆叠上形成的至少一个第二层间绝缘层；在第二层间绝缘层上形成的多个位线；和在衬底上穿过所述堆叠形成的多个第一沟道结构。所述多个第一沟道结构电连接到所述多个位线中的相应位线。在杂质区上穿过所述堆叠形成多个第二沟道结构，并且所述多个第二沟道结构与所述多个位线电绝缘。

主权项

一种半导体器件，包括：具有杂质区的衬底，所述衬底和所述杂质区具有不同的杂质特性；在所述衬底上交替的第一层间绝缘层和栅电极层的堆叠；在所述堆叠上形成的至少一个第二层间绝缘层；在所述第二层间绝缘层上形成的多个位线；在所述衬底上穿过所述堆叠形成的多个第一沟道结构，所述多个第一沟道结构电连接到所述多个位线中的相应位线；以及在所述杂质区上穿过所述堆叠形成的多个第二沟道结构，所述多个第二沟道结构与所述多个位线电绝缘。