[发明专利]半导体器件、制造方法以及存储器有效
| 申请号： | 201710175979.X | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630807B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈卓凡;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件、制造方法以及存储器，涉及半导体技术领域。该器件包括：一条或多条位线BL；设置在BL上的两个选择栅SG、一条或多条字线WL、源极和漏极；其中，WL设置在两个SG之间，源极和漏极分别设置在两个SG外侧。该器件、方法以及存储器能够提高存储密度以及写入和擦除速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一条或多条位线BL；设置在所述BL上的两个选择栅SG、一条或多条字线WL、源极和漏极；其中，所述WL设置在两个所述SG之间，所述源极和漏极分别设置在所述两个SG外侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710175979.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相变存储器及其形成方法
- 下一篇：电阻式随机存取存储器结构及其形成方法
