[发明专利]闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710172130.7 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108630700A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;徐小平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的绝缘层和在所述绝缘层上的至少一个叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括电荷存储层、隧穿介质层、电荷捕获层、阻挡介质层和栅极层；执行选择性氮化处理，以在所述电荷存储层和所述栅极层暴露的表面形成氮化物层；在所述叠层结构的侧面形成隔离区。本发明实施例能够改善闪存器件的阈值电压不期望增大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层结构 闪存器件 绝缘层 电荷存储层 衬底结构 栅极层 衬底 半导体技术领域 电荷捕获层 隧穿介质层 选择性氮化 表面形成 氮化物层 阻挡介质 阈值电压 隔离区 增大的 制造 侧面 暴露 期望 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的绝缘层和在所述绝缘层上的至少一个叠层结构，所述叠层结构由下向上依次包括电荷存储层、隧穿介质层、电荷捕获层、阻挡介质层和栅极层；执行选择性氮化处理，以在所述电荷存储层和所述栅极层暴露的表面形成氮化物层；在所述叠层结构的侧面形成隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
