[发明专利]对半导体存储器装置进行编程的方法有效
| 申请号： | 201710168954.7 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107564567B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 权殷美;金智善;安尚太 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对半导体存储器装置进行编程的方法。在对半导体存储器装置进行编程的方法中，在待命周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中所包括的多个存储器单元的字线施加待命电压，并且在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串的已编程存储器单元中的至少一个的字线施加第一预偏置电压。第一预偏置电压大于待命电压。 | ||
| 搜索关键词： | 对半 导体 存储器 装置 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对包括多个存储器单元串的半导体存储器装置进行编程的方法，该方法包括以下步骤：在待命周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中所包括的多个存储器单元的字线施加待命电压；以及在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中的已编程存储器单元中的至少一个的字线施加第一预偏置电压，所述第一预偏置电压大于所述待命电压。
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