[发明专利]对半导体存储器装置进行编程的方法

说明书

对半导体存储器装置进行编程的方法。在对半导体存储器装置进行编程的方法中，在待命周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中所包括的多个存储器单元的字线施加待命电压，并且在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串的已编程存储器单元中的至少一个的字线施加第一预偏置电压。第一预偏置电压大于待命电压。

技术领域

本公开的一方面总体上涉及半导体存储器装置，更具体地讲，涉及一种对能够防止通过扰动现象的半导体存储器装置进行编程的方法。

背景技术

在非易失性存储器装置当中，NAND闪存装置由于其高密度架构而广泛用在需要大容量数据存储的应用中。NAND闪存装置的存储器单元阵列包括多个存储器单元串结构。各个存储器单元串结构可包括源极选择晶体管、漏极选择晶体管以及串联联接在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间的多个存储器单元。漏极选择晶体管选择性地将存储器单元串联接至位线。另外，源极选择晶体管选择性地将串联接至与地电压端子联接的公共源极线。这里，彼此并行布置的存储器单元串结构的存储器单元共同电联接至字线。另外，并行布置的存储器单元串结构的源极选择晶体管联接至源极选择线，并行布置的串结构的漏极选择晶体管联接至漏极选择线。因此，多条字线布置在源极选择线与漏极选择线之间。NAND闪存装置的编程通过对所选择的字线应用编程电压来执行。例如，编程电压可被施加至从与源极选择线相邻的字线至与漏极选择线相邻的字线依次选择的字线。

当对相邻存储器单元串结构的许多存储器单元共同联接至的字线施加编程电压时，编程电压是否可在正方向上移动存储器单元的阈值电压可根据存储器单元是要编程的存储器单元(以下，称作“编程目标单元”)还是不要编程的存储器单元(以下，称作“编程禁止单元”)来确定。这里，编程禁止单元可被分成编程完成存储器单元(以下，称作“已编程存储器单元”)和处于擦除状态的存储器单元(以下，称作“擦除状态存储器单元”)。因此，当对所选择的字线施加电压时，可对编程目标单元进行编程，而通过自动地提升编程禁止单元的沟道电势以防止阈值电压改变来不对编程禁止单元进行编程。

更具体地讲，对源极选择线施加0V的电压以防止对应存储器单元串结构联接至地电压端子。另外，对联接至包括编程目标单元的存储器单元串结构的位线施加0V的电压，对联接至包括编程禁止单元的存储器单元串结构的位线施加电源电压。另外，对漏极选择线施加电源电压。因此，在包括编程禁止单元的串结构的沟道区域两端形成与施加至位线的电源电压与漏极选择晶体管的阈值电压之差对应的电压差。在这种情况下，对所选择的字线施加编程电压，并且对未选择的字线施加通过电压。结果，当包括编程禁止单元的存储器单元串结构的沟道区域中发生沟道提升现象时，漏极选择晶体管处于截止状态，因此在编程禁止单元中没有发生FN隧穿，并且编程禁止单元的阈值电压没有增加。

为了防止编程禁止单元的阈值电压增加，可取的是，通过将高电平通过电压施加至编程禁止单元来防止编程扰动现象。另外，可取的是，防止通过扰动现象。在对字线施加编程电压之前，对联接至编程目标单元的字线施加通过电压。因此，存在这样的可能性：随着通过电压增加，编程目标单元的阈值电压由于通过电压而不可取地移动。

需要考虑通过扰动现象、编程扰动现象以及通过电压之间的相关性来决定通过电压。

发明内容

根据本公开的一方面，一种对包括多个存储器单元串的半导体存储器装置进行编程的方法可包括以下步骤：在待命周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中所包括的多个存储器单元的字线施加待命电压；以及在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中的已编程存储器单元当中的至少一个存储器单元的字线施加第一预偏置电压。第一预偏置电压可大于待命电压。

所述方法还可包括以下步骤：在第一编程周期期间，对联接至所选择的存储器单元串中的编程目标单元的字线施加第二预偏置电压。第二预偏置电压可小于待命电压。

所述第一预偏置电压可具有正电压值。

所述第二预偏置电压可具有负电压值。