[发明专利]对半导体存储器装置进行编程的方法

权利要求书

1.一种对包括多个存储器单元串的半导体存储器装置进行编程的方法，所述多个存储器单元串中的每一个包括作为非易失性存储器单元的多个存储器单元，该方法包括以下步骤：

在待命周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中所包括的所述多个存储器单元的字线施加待命电压；以及

在第一编程周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中的已编程存储器单元中的至少一个的字线施加第一预偏置电压，并且对连接至所选择的存储器单元串中的编程目标单元的字线施加第二预偏置电压，

其中，所述第一预偏置电压大于所述待命电压，并且所述第二预偏置电压小于所述待命电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一预偏置电压具有正电压值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二预偏置电压具有负电压值。

4.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第一编程周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中的擦除状态存储器单元的字线施加所述第二预偏置电压。

5.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第一编程周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中的所述已编程存储器单元当中的除了接收所述第一预偏置电压的存储器单元之外的其它存储器单元的字线施加所述待命电压。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在第二编程周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中所包括的存储器单元的字线施加通过电压或截止电压；以及

在第三编程周期期间，对连接至编程目标单元的字线施加编程电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第三编程周期期间，对连接至所选择的存储器单元串中所包括的存储器单元当中的除了所述编程目标单元之外的存储器单元的字线施加的电压被维持为在所述第二编程周期期间施加的电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所选择的存储器单元串包括第一存储器单元至第n存储器单元，其中，n是大于1的自然数；

编程目标单元是所述第一存储器单元至第n存储器单元当中的第i存储器单元，其中，i是大于1并且小于n的自然数；并且

在所述第一编程周期期间，对连接至第(i-1-k)存储器单元至第(i-1)存储器单元的字线施加所述第一预偏置电压，对连接至第i存储器单元至第(i+1+j)存储器单元的字线施加第二预偏置电压，其中，k是大于或等于0并且小于或等于i-2的整数，j是大于或等于0并且小于或等于n-1-i的整数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述待命电压是地电压。

10.一种对包括多个存储器单元串的半导体存储器装置进行编程的方法，该方法包括以下步骤：

对所选择的存储器单元串的沟道区域进行预充电；

对联接至所选择的存储器单元串中所包括的存储器单元的字线施加通过电压；以及

对联接至所选择的存储器单元串中的编程目标单元的字线施加编程电压，

其中，在对联接至所选择的存储器单元串中所包括的存储器单元的字线施加所述通过电压的步骤中，对联接至所述编程目标单元以及与所述编程目标单元相邻设置的第一存储器单元组的字线施加第一通过电压，对联接至与所述第一存储器单元组相邻设置的第二存储器单元组的字线施加第一截止电压，并且对联接至与所述第二存储器单元组相邻设置的第三存储器单元组的字线施加第二通过电压。