[发明专利]硬化存储元件在审
申请号: | 201710158150.9 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN107785047A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | F·阿布泽德;G·加西奥特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,吕世磊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种存储元件,包括在两个节点之间首尾耦合的两个CMOS反相器;以及连接在所述节点之间作为电容器的一个MOS晶体管。 | ||
搜索关键词: | 硬化 存储 元件 | ||
【主权项】:
一种存储元件,包括:两个CMOS反相器(10,11),所述两个CMOS反相器在两个节点(52,53)之间首尾耦合;以及一个MOS晶体管(64,66,68,70),所述MOS晶体管在所述节点(52,53)之间连接作为电容器。
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