[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其中，该背接触异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，载流子收集层包括设置在第一钝化层上的第一层和设置在第一层上的第二层；第一层由n型非晶硅和p型非晶硅间隔设置形成；第二层为设置在第一层的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者第二层为设置在第一层的p型非晶硅上的n型非晶硅。本发明的技术方案中，在已经形成的p型或n型非晶硅图案上，全表面覆盖一层n型或p型非晶硅，只需要做一次图案形成，省略了第二次的非晶硅图案形成，不存在两次图案之间的定位问题，极大简化了生产工艺，有利于背接触异质结电池的量产。

主权项

1.一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，所述载流子收集层包括设置在所述第一钝化层上的第一层和设置在所述第一层上的第二层；所述第一层由n型非晶硅和p型非晶硅间隔设置形成，所述第一层上的n型非晶硅和p型非晶硅之间没有间隙；所述第二层为设置在所述第一层的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者所述第二层为设置在所述第一层的p型非晶硅上的n型非晶硅。