[发明专利]高纯石英晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201710150945.5 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN106917142A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘盛浦;蒋文山;郭兴忠;吴兰;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江博达光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B7/08 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 311305 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯石英晶体的生长方法，包括以下步骤选择铝含量＜20ppm的石英作为原料，对其进行清洗，得清洗后石英原料；利用氢氧化钠溶液对高压釜内壁以及位于高压釜内的原料筐、内挡板及带有籽晶片的籽晶架进行表面防护层处理；将清洗后石英原料放入表面防护层处理后的原料筐内，然后向高压釜内加入晶体生长工艺溶液，控制溶解区与生长区的温差为20～30℃，控制晶体每天生长速率为0.23～0.37mm、生长时间为60±5天；采用电清洗技术，在高温高电场下对上述生成所得的石英晶体进行排除杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 石英 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
高纯石英晶体的生长方法，其特征是包括以下步骤：1)、选择铝含量＜20ppm的石英作为原料，对其进行清洗，得清洗后石英原料；2)、利用氢氧化钠溶液对高压釜内壁以及位于高压釜内的原料筐(4)、内挡板(3)及带有籽晶片(2)的籽晶架(1)进行表面防护层处理；3)、石英晶体的生长：将步骤1)所得的清洗后石英原料放入步骤2)所得的表面防护层处理后的原料筐(4)内；然后向高压釜内加入晶体生长工艺溶液，充满度为80～85％；所述晶体生长工艺溶液为氢氧化钠、氢氧化锂、亚硝酸钠的混合溶液，该混合溶液中NaOH的浓度为1.2±0.1mol/L，LiOH·H2O的浓度为0.005±0.001mol/L，NaNO2的浓度为0.005±0.001mol/L；控制溶解区与生长区的温差为20～30℃；控制晶体每天生长速率为0.23～0.37mm；生长时间为60±5天；4)、采用电清洗技术，在高温高电场下对步骤3)所得的石英晶体进行排除杂质。
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