[发明专利]用于制造晶体管的方法及相应设备

摘要

本公开涉及用于制造晶体管的方法及相应设备。一种具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TS)包括：具有第一导电类型的半导体衬底区域(ZS)，该半导体衬底区域通过在第一方向(X)上延伸的两个第一平行沟槽(GT1，GT2)与该衬底(SUB)的其余部分分隔开；隔离栅极区(G12，G21)，该隔离栅极区位于该衬底区域(ZS)的每个侧面上以及在该相应沟槽的底部的一部分上并且形成这两个竖直栅极；至少一个栅极连接区，该至少一个栅极连接区电连接这两个竖直栅极(G12，G21)；第一掩埋区(CTR)，该第一掩埋区位于具有第二导电类型的该衬底区域(ZS)下方并且形成该晶体管的第一导电电极；以及具有该第二导电类型的第二区(DP)，该第二区位于该衬底区域(ZS)的表面附近并且形成该晶体管(TS)的第二导电电极。

主权项

一种用于制造具有两个竖直栅极的MOS晶体管(TS)的方法，所述方法包括：‑在具有第一导电类型的半导体衬底(SUB)中制造具有第二导电类型的第一掩埋区(CTR)，以便形成所述晶体管(TS)的第一导电电极；‑在所述半导体衬底(SUB)中直至所述第一掩埋区(CTR)蚀刻出在第一方向(X)上延伸且界定衬底区域(ZS)的两个第一平行沟槽(GT1，GT2)；‑在所述衬底区域(ZS)的每个侧面上以及在所述相应沟槽(GT1，GT2)的底部的一部分上形成隔离区(G12，G21)，所述隔离区包括栅极材料以便形成所述两个竖直栅极；‑在所述两个栅极区(G12，G21)之间制作导电连接(GC1，GC2)；‑在所述衬底区域的表面上形成第二区(DP)，所述第二区具有所述第二导电类型以便形成所述晶体管(TS)的第二电极。