[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710144162.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107123683B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 恵木勇司;须泽英臣;笹川慎也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：在包含绝缘表面的氧化物绝缘层上的岛状氧化物半导体层；在所述岛状氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层；在所述岛状氧化物半导体层上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的栅电极层；在所述栅电极层上的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；在所述栅极绝缘层上的侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层覆盖所述栅电极层的侧面和所述绝缘层的侧面；在所述岛状氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅电极层、所述绝缘层和所述侧壁绝缘层上的导电层；以及在所述源电极层和所述漏电极层上的层间绝缘层，其中，所述岛状氧化物半导体层的源区包含掺杂剂，所述岛状氧化物半导体层包含在所述岛状氧化物半导体层的顶面附近的区域，当通过二次离子质谱分析技术进行测量时，所述区域中的氯浓度为3.4×1017atoms/cm3以下，当通过二次离子质谱分析技术进行测量时，所述区域中的硼浓度为4.5×1018atoms/cm3以下，当通过二次离子质谱分析技术进行测量时，所述区域中的铝浓度为7.5×1017atoms/cm3以下，并且当通过二次离子质谱分析技术进行测量时，所述区域中的氟浓度为8.9×1018atoms/cm3以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710144162.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
