[发明专利]一种优化钙钛矿晶体薄膜形貌的方法有效
申请号: | 201710142615.1 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107068875B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 谢国华;易建鹏;薛钦 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/44 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 汪俊锋 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种蒸汽退火辅助钙钛矿晶体薄膜沉积的方法,属于光电领域。我们根据薄膜退火机制,创造性地提出通过改变溶剂蒸汽与钙钛矿晶体薄膜之间的温度差实现了对钙钛矿晶体薄膜生长过程的调控;更进一步地,我们通过改变溶剂的使用量或者溶剂的蒸汽压达到了调控钙钛矿晶体薄膜形貌的目的。蒸汽辅助退火可以是单次退火,亦可以是多次连续或者循环退火。相较于常规退火方法处理的器件,基于溶剂蒸汽退火处理过的钙钛矿薄膜的平板异质结太阳能电池器件的效率展现出了较大的提升,在未对阴极进行修饰的条件下效率达到了15.0%,高于大部分文献报道相似器件结构的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 优化 钙钛矿 晶体 薄膜 形貌 方法 | ||
【主权项】:
1.一种优化钙钛矿晶体薄膜形貌的方法,其特征在于:将碘化铅和甲胺碘合成的有机‑无机杂化钙钛矿晶体薄膜置于密闭的有机溶剂的蒸汽氛围内,进行差热退火处理,所述蒸汽的温度为100℃,钙钛矿晶体薄膜的温度比蒸汽温度低10~50℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710142615.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择