[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710141118.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107871523B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 皆川絋惠;白川政信 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1存储单元、第2存储单元、连接于第1存储单元的第1字线、及连接于第2存储单元的第2字线，且对第1字线施加第1编程电压，在施加第1编程电压之后，对第2字线施加小于第1编程电压的第2编程电压，在施加第2编程电压之后，对第1字线施加第1验证电压，在施加第1验证电压之后，对第2字线施加小于第1验证电压的第2验证电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1存储单元；第2存储单元；第1字线，连接于所述第1存储单元；及第2字线，连接于所述第2存储单元；且对所述第1字线施加第1编程电压，在施加所述第1编程电压之后，对所述第2字线施加小于所述第1编程电压的第2编程电压，在施加所述第2编程电压之后，对所述第1字线施加第1验证电压，在施加所述第1验证电压之后，对所述第2字线施加小于所述第1验证电压的第2验证电压。
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