[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710137831.7 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106847757B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 张家祥;王凤涛;王彦强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板的制作方法,包括形成绝缘层的步骤和在所述绝缘层上形成第二透明导电层的图形的步骤,所述第二透明导电层的图形包括位于显示区域的多个间隔设置的子电极;所述制作方法还包括:去除显示区域中所述绝缘层未被所述子电极覆盖的部分。通过本发明的技术方案,能够去除狭缝状电极间隙存在的多晶态ITO颗粒残留,改善显示装置的显示效果,并提高显示装置的透过率。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示基板的制作方法,包括形成绝缘层的步骤和在所述绝缘层上形成第二透明导电层的图形的步骤,所述第二透明导电层的图形包括位于显示区域的多个间隔设置的子电极;其特征在于,所述制作方法还包括:去除显示区域中所述绝缘层未被所述子电极覆盖的部分;形成所述第二透明导电层的图形和形成所述绝缘层的图形的步骤包括:在所述绝缘层上形成透明导电层过渡图形,所述透明导电层过渡图形包括位于薄膜晶体管区域的第一部分和位于显示区域的第二部分,所述第二部分包括多个间隔设置的子电极;去除显示区域中所述子电极之间的间隙对应的绝缘层的部分;去除所述透明导电层过渡图形的第一部分,形成所述第二透明导电层的图形;形成所述第二透明导电层的图形和形成所述绝缘层的图形的步骤具体包括:在所述绝缘层上沉积第二透明导电层;在所述第二透明导电层上涂覆光刻胶,对光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域,光刻胶未保留区域对应所述子电极之间的间隙;通过湿法刻蚀去除光刻胶未保留区域的第二透明导电层,形成所述透明导电层过渡图形;通过干法刻蚀去除光刻胶未保留区域的绝缘层;去除薄膜晶体管区域的光刻胶;通过湿法刻蚀去除所述透明导电层过渡图形中未被光刻胶覆盖的部分,形成第二透明导电层的图形;去除剩余的光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710137831.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学镜片镀膜座
- 下一篇:扩散透镜及具有该扩散透镜的光发射模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造