[发明专利]基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710136225.3 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106941117B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 毛维;石朋毫;郝跃;马佩军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，主要解决现有技术无法实现良好的双向阻断的问题。其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)和栅极(12)，两个电流阻挡层(6)之间形成孔径(7)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(11)，两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(10)；其中：衬底上方与漂移层下方之间设有两个对称的P柱(2)和一个N柱(3)，两个P柱位于N柱的左右两侧。本发明具有良好的双向阻断能力，正向击穿电压和反向击穿电压高，可用于电力电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 悬浮 氮化 镓基异质结 电流 孔径 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，包括：衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)和势垒层(9)，衬底(1)的下部设有肖特基漏极(13)，势垒层(9)上的两侧淀积有两个源极(11)，两个源极(11)下方通过离子注入形成两个注入区(10)，源极之间的势垒层上淀积有栅极(12)，两个对称的电流阻挡层(6)之间形成孔径(7)，其特征在于：所述衬底(1)与漂移层(4)之间，设有两个采用p型GaN材料的柱形结构，即两个P柱(2)和一个采用n型GaN材料的柱形结构，即N柱(3)，且两个P柱(2)位于N柱(3)的左右两侧，每个P柱(2)的厚度与N柱(3)的厚度相同。
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