[发明专利]低相位噪声电感电容压控振荡器在审
| 申请号： | 201710124164.9 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106911305A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 唐枋;叶楷;殷鹏;陈卓;舒洲;李世平;王忠杰;黄莎琳;李明东;夏迎军;周喜川;胡盛东;甘平 | 申请（专利权）人： | 重庆湃芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B1/04 | 分类号： | H03B1/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400064 重庆市九龙坡区高新区石桥铺石杨路*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器，包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、MOS管M1、电感L、可变电容c1、可变电容c2、电容c3、电容c4、NMOS管MN1和NMOS管MN2，其中，电容c3和电容c4连接后并联于电感L的两端，电容c1和电容c2连接后并联于电感L的两端，电容c1与电容c3的连接端与NMOS管MN1的漏极连接，电容c2与电容c4的连接端与NMOS管MN2的漏极连接，振荡器还包括电阻r1和电阻r2，电阻r1连接于电容c3与NMOS管MN1的漏极之间，电阻r2连接于电容c4与NMOS管MN2的漏极之间。本发明比对传统LC‑VCO而言，相位噪声在整个频偏段都有显著优化。 | ||
| 搜索关键词： | 相位 噪声 电感 电容 压控振荡器 | ||
【主权项】：
一种低相位噪声电感电容压控振荡器，包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、MOS管M1、电感L、可变电容c1、可变电容c2、电容c3、电容c4、NMOS管MN1和NMOS管MN2，其中，电容c3和电容c4连接后并联于电感L的两端，电容c1和电容c2连接后并联于电感L的两端，电容c1与电容c3的连接端与NMOS管MN1的漏极连接，电容c2与电容c4的连接端与NMOS管MN2的漏极连接，其特征在于：还包括电阻r1和电阻r2，所述电阻r1连接于电容c3与NMOS管MN1的漏极之间，所述电阻r2连接于电容c4与NMOS管MN2的漏极之间。
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