[发明专利]非易失性存储装置有效
申请号: | 201710122841.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107342291B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 黄喆珍;任琫淳;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括基板、在基板上的存储单元阵列、多个结合焊盘和焊盘电路。存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层以及贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道。所述多个结合焊盘在存储单元阵列的上部的至少一部分上。所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置。焊盘电路在基板和存储单元阵列之间。焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:基板;存储单元阵列,在基板上,存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层以及贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道;多个结合焊盘,在存储单元阵列的上部的至少一部分上,所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置;以及焊盘电路,在基板与存储单元阵列之间,焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。
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