[发明专利]非易失性存储装置有效
申请号: | 201710122841.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107342291B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 黄喆珍;任琫淳;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B43/35 | 分类号: | H10B43/35 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 | ||
1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:
基板;
存储单元阵列,在基板上,存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层、贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道、以及位线;
多个结合焊盘,在存储单元阵列的上部的至少一部分上,所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置;以及
焊盘电路,在基板与存储单元阵列之间,焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。
2.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述多个结合焊盘在存储单元阵列的未设置有沟道的边缘区的上部的至少一部分上。
3.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述多个结合焊盘在存储单元阵列的设置有至少一个虚设沟道孔的区域的上部的至少一部分上。
4.如权利要求1所述的非易失性存储装置,所述非易失性存储装置还包括:
外围电路,被构造成将数据写入存储单元阵列或者从存储单元阵列读取数据,
其中,外围电路在基板与存储单元阵列之间。
5.如权利要求4所述的非易失性存储装置,其中,外围电路在基板上并且在水平方向上与焊盘电路相邻。
6.如权利要求4所述的非易失性存储装置,其中,焊盘电路包括电连接在所述多个结合焊盘中的至少一个与外围电路之间的数据输入/输出电路。
7.如权利要求4所述的非易失性存储装置,其中,焊盘电路包括电连接在所述多个结合焊盘中的至少一个与外围电路之间的静电放电电路。
8.如权利要求4所述的非易失性存储装置,其中,焊盘电路包括电连接在所述多个结合焊盘中的至少一个与外围电路之间的上拉/下拉电路。
9.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,焊盘电路在存储单元阵列的与所述多个结合焊盘相邻的侧表面的下部上。
10.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:
基板;
第一存储单元阵列,在基板的上部上;
第二存储单元阵列,在基板的上部上并且与第一存储单元阵列相邻;
多个结合焊盘,在第一存储单元阵列和第二存储单元阵列中的至少一个的上部的至少一部分上,所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置;
第一焊盘电路,在基板与第一存储单元阵列之间;
第二焊盘电路,在基板与第二存储单元阵列之间;以及
多个连接焊盘,使第一焊盘电路和第二焊盘电路中的至少一个电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个,所述多个连接焊盘中的至少一个在第一存储单元阵列的至少一部分以及第二存储单元阵列的至少一部分上。
11.如权利要求10所述的非易失性存储装置,其中,第一存储单元阵列和第二存储单元阵列是具有在相对于基板竖直的方向上延伸的竖直堆叠结构的单元阵列。
12.如权利要求10所述的非易失性存储装置,其中,所述多个连接焊盘中的至少一个在第一存储单元阵列和第二存储单元阵列中的至少一个的上部的至少一部分上、在第一存储单元阵列与第二存储单元阵列之间。
13.如权利要求10所述的非易失性存储装置,其中,
第一焊盘电路在第一存储单元阵列的与所述多个连接焊盘相邻的侧表面的下部上,
第二焊盘电路在第二存储单元阵列的与所述多个连接焊盘相邻的侧表面的下部上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710122841.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种消防安全帽
- 下一篇:图像传感器封装及其制作方法