[发明专利]射线探测基板及其制造方法、射线探测装置有效
| 申请号: | 201710120563.8 | 申请日: | 2017-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN106910796B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 赵磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请公开了一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置,属于显示技术领域。所述射线探测基板包括:衬底基板,衬底基板上设置有光电二极管,光电二极管包括两个掺杂层和本征层,本征层位于两个掺杂层之间,两个掺杂层的排布方向平行于衬底基板。本申请解决了X射线探测装置的性能较差的问题,提高了X射线探测装置的性能,本申请用于射线探测装置。 | ||
| 搜索关键词: | 射线 探测 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种射线探测基板,其特征在于,所述射线探测基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、阴极图案和光电二极管;其中,所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层,所述本征层位于两个掺杂层之间,所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板;所述薄膜晶体管中的漏极图案包括:平行于所述衬底基板的平板电极和垂直于所述衬底基板的平板电极,且平行于所述衬底基板的平板电极设置在所述衬底基板上,所述光电二极管和垂直于所述衬底基板的平板电极均设置在平行于所述衬底基板的平板电极上,且垂直于所述衬底基板的平板电极与所述光电二极管中的一个掺杂层接触,所述光电二极管中的另一个掺杂层与所述阴极图案接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710120563.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





