[发明专利]一种光敏电阻瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201710114863.5 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106816489A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 何东;张天宇;宋晓超;张天舒 | 申请（专利权）人： | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 张清彦 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光敏电阻瓷，属于功能陶瓷技术领域，是由以下重量份的组分制成CdS 50～70份，CdSe 20～35份，CdCl2 2～3.5份、ZnCl2 2.5～4份、CuCl2 3～4份、LiCl2 1～3.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5～1.5重量份。本发明还公开了光敏电阻瓷的制备方法，取CdSe烧5～7小时，研细，烘干；取各组分和上述的CdSe，研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。本发明制得的光敏电阻在老化工艺后性能参数降低，稳定性好，光敏灵敏度可提高50％左右，废品率控制在5％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光敏 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光敏电阻瓷，其特征在于是由以下重量份的组分制成：CdS 50～70份，CdSe 20～35份，CdCl2 2～3.5份、ZnCl2 2.5～4份、CuCl2 3～4份、LiCl2 1～3.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5～1.5重量份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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