[发明专利]一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构在审
| 申请号： | 201710110534.3 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876455A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李路;丁柏浪;何逸涛;杨文;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、两个N型源端及之间的P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道两侧是栅氧层，栅氧层旁边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区两侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低关断 损耗 双槽栅 soi ligbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，其特征在于：包括从下至上依次设置的P型衬底(9)、埋氧层二氧化硅(8)、N型漂移区(3)，N型漂移区(3)内部一端设有P型阱区(4)、另一端设有N‑buffer层(2)，器件表面设有氧化层(10)，所述P型阱区(4)内部上方设有两个N型源端(5)以及两个N型源端(5)之间的P型接触区(6)；所述N‑buffer层(2)内部上方设有N型阳极区(1)；所述N型源端(5)、P型接触区(6)以及N型阳极区(1)上方设有金属层；所述源端(5)和P型阱区(4)间的沟道左右两侧是栅氧层，两侧的栅氧层旁边都设有多晶硅(7)，所述多晶硅(7)位于P型阱区(4)的两侧、N‑buffer层(2)的左侧。
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