[发明专利]一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构在审
| 申请号： | 201710110534.3 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876455A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李路;丁柏浪;何逸涛;杨文;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低关断 损耗 双槽栅 soi ligbt 器件 结构 | ||
1.一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：包括从下至上依次设置的P型衬底(9)、埋氧层二氧化硅(8)、N型漂移区(3)，N型漂移区(3)内部一端设有P型阱区(4)、另一端设有N-buffer层(2)，器件表面设有氧化层(10)，所述P型阱区(4)内部上方设有两个N型源端(5)以及两个N型源端(5)之间的P型接触区(6)；所述N-buffer层(2)内部上方设有N型阳极区(1)；所述N型源端(5)、P型接触区(6)以及N型阳极区(1)上方设有金属层；所述源端(5)和P型阱区(4)间的沟道左右两侧是栅氧层，两侧的栅氧层旁边都设有多晶硅(7)，所述多晶硅(7)位于P型阱区(4)的两侧、N-buffer层(2)的左侧。
2.根据权利要求1所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：P型阱区(4)和N-buffer层(2)之间的N型漂移区(3)内部设有二氧化硅槽介质(11)；二氧化硅槽介质(11)位于P型阱区(4)右侧多晶硅(7)的右侧。
3.根据权利要求1所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：两个多晶硅(7)的深度Lg相等。
4.根据权利要求1所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：在P型阱区(4)下方设有N型载流子储存层(12)。
5.根据权利要求4所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：两个多晶硅(7)的深度Lg相等且大于N型载流子存储层(12)的深度Dcs。
6.根据权利要求2所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：二氧化硅槽介质(11)的宽度Wt取值最小值为1μm。
7.根据权利要求2所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：二氧化硅槽介质(11)右侧与N-buffer层(2)左侧相接。
8.根据权利要求2所述的一种低关断损耗双槽栅SOI-LIGBT器件结构，其特征在于：二氧化硅槽介质(11)的深度为Dt，其值大于多晶硅(7)的深度Lg，且满足硅层厚度也即N型漂移区(3)的厚度ts>Dt≥Lg+1um。
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