[发明专利]一种用于MOCVD的金属有机源掺杂装置及方法在审
申请号: | 201710106314.3 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106676496A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 绳瑞达;李烈军;彭继华;高吉祥 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于MOCVD的金属有机源掺杂装置,包括:恒温电子加热器;盛料锅,设于恒温电子加热器内,包括圆柱形不锈钢锅体及盖板,所述锅体上设置有进气接口和出气接口;氩气瓶,通过管路依次连接减压阀、第一节流阀、软管、进气接口;恒温钢管,与温控器电路连接,所述出气接口通过恒温钢管依次连接、流量计、第二节流阀、三通切换阀、镀膜机沉积室;回收瓶,通过另一根恒温钢管连接三通切换阀。本发明还公开了一种用于MOCVD的有机源掺杂方法。本发明具有温度控制、杂气排出等功能;体积较小,不受有机源状态限制,可适用于固体或液体,也适用于低沸点、极易挥发的前驱体;低成本轻量化;通入气体流量稳定、加料简便、无空气污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 金属 有机 掺杂 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD的金属有机源掺杂装置,其特征在于,包括:恒温电子加热器;盛料锅,设于恒温电子加热器内,包括圆柱形不锈钢锅体及盖板,所述锅体上设置有进气接口和出气接口;氩气瓶,通过管路依次连接减压阀、第一节流阀、软管、进气接口;恒温钢管,与温控器电路连接,所述出气接口通过恒温钢管依次连接、流量计、第二节流阀、三通切换阀、镀膜机沉积室;回收瓶,通过另一根恒温钢管连接三通切换阀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710106314.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的