[发明专利]一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710106167.X | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108511595B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;赵国强;林朝镜;李永庆;邓正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/22;H01L39/24;H01F1/40 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用，所述安德烈夫反射结包括铁磁半导体材料(Ba,K)(Zn,Mn)2As2的单晶片，以及分别沉积在所述单晶片两个表面上的普通金属层和超导材料层。所述铁磁半导体材料的化学式为(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2，0 | ||
| 搜索关键词： | 反射 铁磁半导体材料 制备方法和应用 单晶片 助熔剂 自旋 超导材料层 电路系统 加热条件 金属层 单晶 沉积 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种安德烈夫反射结，所述安德烈夫反射结包括铁磁半导体材料(Ba,K)(Zn,Mn)2As2的单晶片，以及分别沉积在所述单晶片两个表面上的普通金属层和超导材料层，其中，所述超导材料层的材料为铅、铋、锑、铌钛合金、铌锆合金、二硼化镁、钇钡铜氧和钡铁砷中的一种或多种。
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